PENGARUH DOT SIZE TERHADAP ENERGI GAP AMORPHOUS SILICON QUANTUM DOT (a-SiQD) MENGGUNAKAN EXTENDED HUCKEL THEORY
No Thumbnail Available
Date
2018-01-31
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Quantum Dot adalah bahan nanokristal semikonduktor yang sangat kecil, menyebabkan karakteristik elektronik energi gapnya merupakan fungsi dari diameter bahan (dot size), semakin kecil dot size menghasilkan energi gap yang semakin besar. Hal ini dipengaruhi oleh fenomena fisika yaitu efek quantum confinement. Salah satu jenis bahan Quantum Dot adalah amorphous Silicon Quantum Dot (a-SiQD) yang memiliki potensi besar untuk bahan teknologi optoelektronik, dan telah dikembangkan secara eksperimen nanostruktur a-SiQD untuk mempelajari efek quantum confinement dan karakteristik emisi cahaya. Pada penelitian ini, dibuat model klaster a-SiQD dengan melakukan teknik translasi untuk memperbesar ukuran dan membuat klaster berbentuk bulat dengan menghapus beberapa atom silikon terluar dan menambahkan atom hidrogen. Untuk mendapatkan karakteristik elektronik dan optik klaster a-SiQD, dilakukan perhitungan fundamental energi gap klaster a-SiQD menggunakan metode Extended Hückel Theory (EHT). Hasilnya, ketika variasi dot size klaster a-SiQD mengalami penurunan dari 2,1 nm ke 0,85 nm energi gap mengalami peningkatan dari 2,29 – 4,53 eV. Tidak hanya itu, bentuk bulat dan penambahan atom hidrogen juga mempengaruhi besar energi gap klaster a-SiQD.
Description
Keywords
Quantum Dot, Klaster, a-SiQD