PENGARUH FAKTOR IDEAL DIODA HAMBATAN SERI DAN HAMBATAN SHUNT TERHADAP PARAMETER KELISTRIKAN SEL SURYA SILIKON
No Thumbnail Available
Date
2019-01-16
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Abstract
Pada penelitian ini, sel surya silikon akan dimodelkan menggunakan bahasa pemrograman C dengan mengetahui metode solver terbaik dalam menentukan arus keluaran sel surya silikon dan mengetahui pengaruh nilai faktor ideal dioda hambatan seri dan hambatan shunt terhadap daya keluaran, efisiensi serta fill-factor sel surya silikon. Variasi nilai faktor ideal dioda yang digunakan adalah dari 1,0 hingga 2,0 dengan kenaikan 0,2 dan juga variasi model dioda satu dioda dan dua dioda. Hasil yang didapat menunjukkan adanya kesamaan nilai galat sebesar 0,67 % untuk metode Newton-Raphson dan metode regula-falsi, sedangkan metode bisection memiliki galat sebesar 9,67 %. Hasil tersebut menunjukkan bahwa metode regula-falsi menjadi metode solver yang paling tepat dalam penentuan arus keluaran sel surya silikon karena termasuk metode tertutup solusi numerik persamaan non-linier yang bersifat konvergen serta tidak mengandung bentuk turunan sebagaimana pada metode Newton-Raphson. Sementara itu, semakin besar nilai faktor ideal dioda menyebabkan semakin rendah nilai hambatan seri dan semakin tingginya nilai hambatan shunt namun semakin rendahnya parameter kelistrikan sel surya silikon. Hal tersebut dikarenakan pengaruh nilai faktor ideal dioda secara langsung terhadap parameter keistrikan sel surya yang lebih besar daripada pengaruh dari hambatan seri dan hambatan shunt terhadap parameter tersebut. Sementara itu, model satu dioda lebih baik daripada model dua dioda karena model dua dioda memberikan cabang pembagian arus tambahan sehingga mengurangi nilai arus keluaran sel surya silikon.
Description
Keywords
sel surya silikon, metode solver, nilai faktor ideal dioda